Publication

An innovative band-to-band tunneling analytical model and implications in compact modeling of tunneling-based devices

Mihai Adrian Ionescu, Luca De Michielis, Livio Lattanzio
2013
Journal Articles

Résumé

In this paper, an analytical band-to-band tunneling model is proposed, validated by means of drift-diffusion simulation and comparison with experimental data, implemented in Verilog-A, and finally proven with SPICE simulator through simulation of circuits featuring tunneling diodes. The p-n junction current calculation starts from a non-local Band-to-Band tunneling theory including the electron-phonon interaction and therefore it is particularly suited for indirect semiconductor materials such as silicon-or germanium-based interband tunneling devices. (C) 2013 AIP Publishing LLC.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/707eafc1-a18a-43e1-9b66-e158d11d2303

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An innovative band-to-band tunneling analytical model and implications in compact modeling of tunneling-based devices

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Dataset to accompany publication "Quantum-mechanical effects in photoluminescence from thin crystalline gold films"

Quantum-mechanical effects in photoluminescence from thin crystalline gold films

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