Publication

Trap-limited transport in rubrene transistors

Libero Zuppiroli, Marie-Noëlle Bussac
2009
Journal Articles

Résumé

The charge carrier mobility in the transport channel of an organic transistor is estimated within the framework of a trap-and-release model. The model accounts for the observed dependence of the mobility on the dielectric constant "epsilon" of the gate insulator. This dependence is attributed to both the effective mass of the carrier and the energetic depth of transport traps due to interface defects being functions of "epsilon". These results are used to describe the critical role of the interface between the organic semiconductor and the dielectric material in governing charge transport in organic transistors.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/5f8e03d1-9200-4a0f-8066-994c88cdf6ca

À propos de ce résultat

Cette page est générée automatiquement et peut contenir des informations qui ne sont pas correctes, complètes, à jour ou pertinentes par rapport à votre recherche. Il en va de même pour toutes les autres pages de ce site. Veillez à vérifier les informations auprès des sources officielles de l'EPFL.

Graph Chat

Chattez avec Graph Search

Posez n’importe quelle question sur les cours, conférences, exercices, recherches, actualités, etc. de l’EPFL ou essayez les exemples de questions ci-dessous.

AVERTISSEMENT : Le chatbot Graph n'est pas programmé pour fournir des réponses explicites ou catégoriques à vos questions. Il transforme plutôt vos questions en demandes API qui sont distribuées aux différents services informatiques officiellement administrés par l'EPFL. Son but est uniquement de collecter et de recommander des références pertinentes à des contenus que vous pouvez explorer pour vous aider à répondre à vos questions.

Trap-limited transport in rubrene transistors

Chattez avec Graph Search

Hydrogenated Amorphous Silicon Charge-Selective Contact Devices on a Polyimide Flexible Substrate for Dosimetry and Beam Flux Measurements

Towards Scalable Electronics: Synthetic 2D Materials for Large-Area 2D Circuit Integration

Shortwave Infrared-Sensitive, Narrowband Organic Upconversion Devices with a Gain