Publication

Secondary ion mass spectrometry study of oxygen accumulation at GaAs/AlGaAs interfaces grown by molecular beam epitaxy

Marc Ilegems
1987
Journal Articles

Résumé

The accumulation of oxygen at GaAs/AlGaAs interfacesgrown by molecular beam epitaxy has been established by secondary ion mass spectrometry profiling of GaAs/AlGaAs multilayerstructures. An enhanced oxygen peak was observed at the boundary between GaAs and Al x Ga1−x As layers with x=0.35 and x=1 when the binary layer is deposited on top of the ternary layer. The segregation of oxygen may be a contributing factor responsible for the lower luminescence reported in the first GaAs well of multilayerquantum wellstructures and for the difference between normal and inverted interface high electron mobility devices.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/5eb43864-23fe-4754-875b-a5bf090adcb6

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