Publication

Angle dependence and defect production in metal-on-metal cluster deposition on surfaces

Christian Felix
1998
Journal Articles

Résumé

We use molecular dynamics to analyze the dependence on the impact angle of the distribution of defects originated by the deposition of a Ag/sub 19/ cluster on Pd(100) at initial kinetic energies 0.1, 2, 20 and 95 eV. For increasing energy the cluster undergoes a transition from a multi-layered adsorbed structure to a two-dimensional one. Implantation of Ag atoms and promotion of Pd substrate atoms is common to all energies and angles and, for a given initial total kinetic energy, it increases with decreasing impact angle.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/5b131c32-7efc-4087-a611-f53f43219cf4

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Dépôt physique par phase vapeur

vignette|Montage expérimental d’une évaporation par dépôt chimique vapeur Le dépôt physique en phase vapeur (ou PVD pour l'anglais physical vapor deposition) est un ensemble de méthodes de dépôt sous vide de films minces : Évaporation directe : Évaporation sous vide (ou évaporation) Évaporation par faisceau d'électron en phase vapeur (angl. electron beam evaporation) Pulvérisation cathodique (sputtering) : les particules de métal sont séparées de leur substrat par bombardement ionique.

Énergie potentielle

L'énergie potentielle d'un système physique est l'énergie liée à une interaction, qui a la capacité de se transformer en d'autres formes d'énergie, le plus souvent en énergie cinétique, une énergie de mouvement. La force qui modélise l'interaction est une force conservative c'est-à-dire que son travail ne dépend pas du chemin suivi lors du déplacement, mais uniquement du point de départ et du point d'arrivée : .

Dépôt sous vide

vignette|Chambre à vide de l'Observatoire du Mont Mégantic utilisée pour la re-aluminisation des miroirs de télescopes. Le dépôt sous vide est une technique de fabrication de couche mince : on cherche à déposer une couche de métal (la plupart du temps) sur une lame de substrat solide (verre ou silicium par exemple). On y utilise le principe physique qui veut que, à très basse pression, les molécules (généralement monoatomiques) de vapeur d'un métal se déplacent avec très peu de risque de collision avec d'autres molécules : le gaz métallique se trouve projeté sur le substrat sans être freiné par les phénomènes de diffusion, et sans risque d'oxydation.

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