Publication

HIGH-PURITY INP GROWN BY CHEMICAL BEAM EPITAXY

Jean-François Carlin
1991
Journal Articles

Résumé

A Hall mobility as high as 176,200 cm2V-1s-1 at 77 K with N(d)-N(a) = 1.3 x 10(14) cm-3 has been obtained by adjusting the substrate and the phosphine cracker temperatures. The 2 K photoluminescence spectra show finely resolved excitonic transitions for layers grown above 535-degrees-C with linewidths of 0.07 meV. Excitonic transitions have been recorded between 2 and 250 K. The free exciton energy position leads to a highly accurate expression of the band gap energy, which extrapolates to E(g) = 1.347 eV at 300 K.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/58621d68-8412-40a1-b5d0-7d14b088208d

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Concepts associés (22)

Épitaxie

L'épitaxie est une technique de croissance orientée, l'un par rapport à l'autre, de deux cristaux possédant un certain nombre d'éléments de symétrie communs dans leurs réseaux cristallins. On distingue l'homo-épitaxie, qui consiste à faire croître un cristal sur un cristal de nature chimique identique, et l'hétéro-épitaxie, dans laquelle les deux cristaux sont de natures chimiques différentes. Étymologiquement, « épi » en grec signifie « sur » et « taxis », « arrangement ».

Exciton

vignette|Représentation schématique d'un exciton de Frenkel, dans un cristal (points noirs). Un exciton est, en physique, une quasi-particule que l'on peut voir comme une paire électron-trou liée par des forces de Coulomb. Une analogie souvent utilisée consiste à comparer l'électron et le trou respectivement à l'électron et au proton d'un atome d'hydrogène. Ce phénomène se produit dans les semi-conducteurs et les isolants. En 2008, le premier dispositif électronique basé sur des excitons a été démontré, fonctionnant à des températures cryogéniques.

Bande interdite

redresse=.9|vignette|Bandes d'un semiconducteur. La bande interdite d'un matériau, ou gap, est l'intervalle, situé entre la bande de valence et la bande de conduction, dans lequel la densité d'états électroniques est nulle, de sorte qu'on n'y trouve pas de niveau d'énergie électronique. La largeur de bande interdite, ou band gap en anglais, est une caractéristique fondamentale des matériaux semiconducteurs ; souvent notée , elle est généralement exprimée en électronvolts (eV). Fichier:Band filling diagram.

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