Génération de seconde harmoniquevignette|Niveaux d'énergie impliqués dans la création de SHG La génération de seconde harmonique (GSH ou SHG en anglais, également appelé doublage de fréquence) est un phénomène d'optique non linéaire dans lequel des photons interagissant avec un matériau non linéaire sont combinés pour former de nouveaux photons avec le double de l'énergie, donc avec le double de la fréquence ou la moitié de la longueur d'onde des photons initiaux. La génération de seconde harmonique, en tant qu'effet optique non linéaire d'ordre pair, n'est autorisée que dans les milieux sans centre d'inversion .
ÉpitaxieL'épitaxie est une technique de croissance orientée, l'un par rapport à l'autre, de deux cristaux possédant un certain nombre d'éléments de symétrie communs dans leurs réseaux cristallins. On distingue l'homo-épitaxie, qui consiste à faire croître un cristal sur un cristal de nature chimique identique, et l'hétéro-épitaxie, dans laquelle les deux cristaux sont de natures chimiques différentes. Étymologiquement, « épi » en grec signifie « sur » et « taxis », « arrangement ».
Laser safetyLaser radiation safety is the safe design, use and implementation of lasers to minimize the risk of laser accidents, especially those involving eye injuries. Since even relatively small amounts of laser light can lead to permanent eye injuries, the sale and usage of lasers is typically subject to government regulations. Moderate and high-power lasers are potentially hazardous because they can burn the retina, or even the skin.
Enhanced Data Rates for GSM EvolutionEnhanced Data Rates for GSM Evolution (EDGE acronyme anglais signifiant aussi « tranchant (d'une lame) ») est une norme de téléphonie mobile, une évolution du GPRS qui est elle-même une extension du GSM avec rétrocompatibilité. Il est connu aussi sous les noms Enhanced GPRS (EGPRS), IMT Single Carrier (IMT-SC) ou Enhanced Data rates for Global Evolution. EDGE est considéré comme une technologie pré-3G et fait partie des solutions 3G de l'UIT.
Épitaxie en phase vapeur aux organométalliquesL'épitaxie en phase vapeur aux organométalliques (EPVOM, aussi connue sous les acronymes anglophones MOVPE — metalorganic vapor phase epitaxy ou MOCVD — metalorganic chemical vapor deposition, terme plus général) est une technique de croissance cristalline dans laquelle les éléments à déposer, sous forme d'organométalliques ou d'hydrures, sont amenés vers le substrat monocristallin par un gaz vecteur. Cette technique de croissance est particulièrement prisée dans l'industrie des semi-conducteurs III-V en raison de la bonne reproductibilité et des fortes vitesses de croissance accessibles.
Infrared windowThe infrared atmospheric window refers to a region of the Infrared spectrum where there is relatively little absorption of terrestrial thermal radiation by atmospheric gases. The window plays an important role in the atmospheric greenhouse effect by maintaining the balance between incoming solar radiation and outgoing IR to space. In the Earth's atmosphere this window is roughly the region between 8 and 14 μm although it can be narrowed or closed at times and places of high humidity because of the strong absorption in the water vapor continuum or because of blocking by clouds.