Publication

Bended gate-all-around nanowire MOSFET: a device with enhanced carrier mobility due to oxidation-induced tensile stress

Mihai Adrian Ionescu, Didier Bouvet, Kirsten Emilie Moselund, Vincent Pott
2007
Conference Papers

Résumé

In this paper we investigate the mobility enhancement due to strain in bended NW MOSFETs. Stress of 200MPa to 2GPa, induced by thermal oxidation, is measured in suspended NW FETs by Raman spectroscopy. Mobility enhancement of more than 100% is observed. Performance gain of bended compared to non-bended structures is most pronounced in low field conditions and at low temperatures.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/3adcd59f-5199-4826-a486-49e912ea57c0

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MODFET

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Nanofil

Un nanofil est une nanostructure, dont le diamètre est exprimé en nanomètre, donc en principe de 1 à 999 nanomètres. Pour plus de simplicité, on tolère un certain débordement dans ces dimensions. Alternativement, les nanofils peuvent être définis comme des structures qui ont une épaisseur ou un diamètre définis, mais d'une longueur quelconque. À ces échelles les effets quantiques sont importants - d'où l'utilisation du terme de « fils quantiques ».

Transistor à effet de champ à grille métal-oxyde

thumb|right|235px|Photographie représentant deux MOSFET et une allumette Un transistor à effet de champ à grille isolée plus couramment nommé MOSFET (acronyme anglais de metal-oxide-semiconductor field-effect transistor — qui se traduit par transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semiconducteur), est un type de transistor à effet de champ. Comme tous les transistors, le MOSFET module le courant qui le traverse à l'aide d'un signal appliqué sur son électrode nommée grille.

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