Publication

Migration of oxygen vacancy in HfO2 and across the HfO2/SiO2 interface: A first-principles investigation

Alfredo Pasquarello
2007
Journal Articles

Résumé

Oxygen vacancy migration is studied in monoclinic HfO2 and across its interface with SiO2 through density functional calculations. In HfO2, long-range diffusion shows activation barriers of 2.4 and 0.7 eV for the neutral and doubly positively charged vacancy, respectively. In the latter case, the migration preferentially occurs along one-dimensional pathways. A HfO2/SiO2 interface model is constructed to address O vacancy migration across high-kappa gate stacks. The vacancy is shown to stabilize in its neutral charge state upon entering the SiO2 layer.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/3a8ec6f4-d6b0-45c7-aead-ef70e00122be

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