Format d'imageAu cinéma et en vidéo, le format d'image est un abus de langage courant qui désigne en fait le « rapport de forme » de l'image ou de l'écran ; ce facteur désigne les proportions du rectangle d'affichage, parfois appelé « rapport de cadre » (« ratio » en anglais, ratio image, ratio écran, ratio projection) d'après l'anglais « aspect ratio » : c'est le rapport entre la largeur et la hauteur d'un photogramme ou d'un écran. Par convention, ce rapport largeur/hauteur s'écrit « largeur »:« hauteur ».
Fabrication des dispositifs à semi-conducteursthumb|upright=1.5|Évolution de la finesse de gravure des processeurs entre 1970 et 2017 La fabrication des dispositifs à semi-conducteur englobe les différentes opérations permettant l'élaboration de composants électroniques basés sur des matériaux semi-conducteurs. Entrent dans cette catégorie de composants à semi-conducteur, les composants discrets qui n'ont qu'une seule fonction comme les diodes et les transistors, et les circuits intégrés plus complexes, intégrant plusieurs composants, jusqu'à des milliards, dans le même boîtier.
Gravure ionique réactiveLa gravure ionique réactive - ou gravure par ions réactifs - très souvent appelée par son acronyme anglophone, RIE (pour Reactive-Ion Etching), est une technique de gravure sèche des semi-conducteurs. Il s'agit d'une technique similaire, dans la mise en œuvre, à une gravure au plasma de type pulvérisation cathodique (sputtering). Cependant, dans cette technique, le plasma réagit, non seulement physiquement, mais aussi chimiquement avec la surface d'un wafer, ce qui en retire une partie ou certaines des substances qui y ont été déposées.
Microsystème électromécaniquevignette|Un accéléromètre MEMS. vignette|Un capteur de pression MEMS (sur une pièce qui donne l'échelle). Un microsystème électromécanique est un microsystème fabriqué à partir de matériaux semi-conducteurs. Il comprend un ou plusieurs éléments mécaniques et utilise l’électricité comme source d’énergie, en vue de réaliser une fonction de capteur ou d’actionneur, avec au moins une structure présentant des dimensions micrométriques ; la fonction du système étant en partie assurée par la forme de cette structure.
Gravure au plasmaLa gravure au plasma est une technique de gravure sèche utilisée en microfabrication (microélectronique). La gravure au plasma consiste à faire subir à un échantillon (wafer) un bombardement de gaz ionisé (plasma) afin d'en retirer une ou plusieurs couches de matériaux. Cette méthode de gravure est purement physique (par opposition aux gravures chimiques), au sens où il n'y a pas de réaction chimique entre l'échantillon et le plasma, mais que ce dernier agit uniquement par effet mécanique. Physique des plas
Gravure (microfabrication)La gravure (aussi appelée parfois par son nom anglophone, etching) est un procédé utilisée en microfabrication, qui consiste à retirer une ou plusieurs couches de matériaux à la surface d'un wafer. La gravure est une étape critique, extrêmement importante, lors de la fabrication d'éléments de microélectronique, chaque wafer pouvant subir de nombreuses étapes de gravure. Pour chaque étape de gravure, une partie du wafer est protégée de la gravure par une couche protectrice qui résiste à cette gravure.
Basse fréquenceLa bande radioélectrique des « basses fréquences » ou LF (low frequency) désignée aussi par « grandes ondes » (GO) ou « ondes longues (OL) » par opposition et en cohérence de désignation avec les « ondes moyennes » et « ondes courtes » désigne la partie du spectre radioélectrique de fréquence modulée comprise entre et (longueur d'onde de 1 à ). L'appellation « BF » est également employée notamment en acoustique et en audio-électronique pour désigner la gamme des signaux de fréquence ou spectre sonore de à .
Extrêmement basse fréquenceL’extrêmement basse fréquence ou EBF (en anglais, extremely low frequency ou ELF) est la bande de rayonnement électromagnétique (radiofréquences) comprise entre (longueur d'onde de ). Dans le domaine des sciences de l'atmosphère, une définition alternative est généralement retenue : de 3 Hz à 3 kHz. La fréquence du courant alternatif dans les réseaux électriques (50 ou 60 Hz) est située dans la bande de ELF, ce qui fait des réseaux électriques une source involontaire de rayonnement ELF.
Radio-fréquenceLe terme radio-fréquence (souvent abrégé en RF) désigne une fréquence d'onde électromagnétique située entre et (entre et ), ce qui inclut les fréquences utilisées par différents moyens de radiocommunication, notamment la téléphonie mobile, le Wi-Fi ou la radiodiffusion, ainsi que des signaux destinés à d'autres usages comme les radars ou les fours à micro-ondes. Les ondes utilisant de telles fréquences sont les ondes radio.
Complementary metal oxide semi-conductorvignette|Vue en coupe d'un transistor MOS On appelle CMOS, ou Complementary Metal Oxide Semiconductor, une technologie de fabrication de composants électroniques et, par extension, les composants fabriqués selon cette technologie. Ce sont pour la plupart des circuits logiques (NAND, NOR) comme ceux de la famille Transistor-Transistor logic (TTL) mais, à la différence de ces derniers, ils peuvent être aussi utilisés comme résistance variable.
Facteur de forme (infographie)Le facteur de forme, rapport de forme (ratio en anglais) ou format tout court est la relation entre les deux dimensions de l'écran ou d'une projection exprimée sous forme fractionnaire. Le rapport est exprimé avec deux nombres séparés par un signe d'indication de rapport, idéalement un deux-points. Un rapport x:y, quelle que soit la taille de l'écran, indique que si un côté de l'écran mesure x unités l'autre côté sera proportionnellement égal à y unités.
Rapport de formeLe rapport de forme, rapport de format ou format tout court, en télévision est le rapport de deux longueurs d'un l'objet, ou d'un rectangle dans lequel il s'inscrit : largeur sur hauteur ou longueur sur largeur. Le rapport de forme est sans dimension. En infographie, on parle aussi de facteur de forme (ce terme est ambigu à cause de ses ). L'anglicisme ratio d'aspect décalque aspect ratio traduit officiellement par rapport largeur/hauteur.
Guerre de tranchéesthumb|250px|Deux cadavres de soldats allemands gisant dans une tranchée, peints par William Orpen en 1917. La guerre de tranchées est une forme de guerre où les combattants s'abritent dans des lignes fortifiées, largement constituées de tranchées, dans lesquelles les soldats sont relativement protégés des armes légères et de l'artillerie. C'est devenu une expression familière pour désigner la guerre de positions, une paralysie du conflit et l'épuisement progressif des forces opposées.
Loi de Moorevignette|upright=1.8|Croissance du nombre de transistors dans les microprocesseurs Intel par rapport à la loi de Moore. En vert, un doublement tous les . Les lois de Moore sont des lois empiriques qui ont trait à l'évolution de la puissance de calcul des ordinateurs et de la complexité du matériel informatique. La première de ces lois est émise par le docteur Gordon E. Moore en 1965, lorsque celui-ci postule sur une poursuite du doublement de la complexité des semi-conducteurs tous les ans à coût constant.
Radio-frequency engineeringRadio-frequency (RF) engineering is a subset of electronic engineering involving the application of transmission line, waveguide, antenna and electromagnetic field principles to the design and application of devices that produce or use signals within the radio band, the frequency range of about 20 kHz up to 300 GHz. It is incorporated into almost everything that transmits or receives a radio wave, which includes, but is not limited to, mobile phones, radios, WiFi, and two-way radios.
Très basse fréquenceLa très basse fréquence, en anglais Very low frequency (VLF), désigne la bande de radiofréquences qui s'étend de 3 kHz à (longueur d'onde de 100 à ). Les ondes VLF sont aussi appelées ondes myriamétriques (le myria- est un préfixe obsolète valant ). Les ondes VLF pénètrent dans l’eau jusqu'à une profondeur de 10 à 50 mètres, selon la fréquence et la salinité. Elles sont utilisées pour les télécommunications avec les sous-marins proches de la surface, et permettent de transmettre un débit supérieur aux ELF ou SLF, utilisées à grande profondeur.
Format large anamorphoséUn format large anamorphosé désigne un format de projection ou de télévision mettant en œuvre un procédé d'anamorphose. Il peut être exploité grâce à des dispositifs optiques ou numériques (équipements et logiciels). La projection cinématographique utilise comme standard depuis le début du , une pellicule de de large. Certaines contraintes techniques comme la présence des perforations pour l'avance du film et l'espace dédié sur la pellicule à la bande son optique ainsi que le défilement normalisé à quatre perforations par image, limitent la taille du photogramme réellement disponible et exploitable à , ce qui représente une image ayant un rapport largeur sur hauteur de 1,22:1.
Format 16 mmLe format est celui d'une pellicule cinématographique d'une largeur de , lancé en 1923 par la Eastman Kodak Company de New York. Le but était de proposer un format et un matériel beaucoup plus économique, plus léger et plus facile à mettre en œuvre que le standard, d'abord pour le cinéma amateur, mais aussi pour la prise de vues en reportage. Le a aussi été le format des scopitones. Il était devenu progressivement un format professionnel pour le reportage et les fictions de télévision, jusqu'à son remplacement total dans les années 2000 au profit des formats numériques.
SiliciumLe silicium est l'élément chimique de numéro atomique 14, de symbole Si. Ce métalloïde tétravalent appartient au groupe 14 du tableau périodique. C'est l'élément le plus abondant dans la croûte terrestre après l'oxygène, soit 25,7 % de sa masse, mais il n'est comparativement présent qu'en relativement faible quantité dans la matière constituant le vivant.
Super basse fréquenceOn appelle super basse fréquence (SLF), Super low frequency en anglais, la bande de radiofréquences qui s'étend de 30 à 300 Hz (longueur d'onde de à km). Ces fréquences incluent les rayonnements des réseaux électriques à 50 et 60 Hz, ainsi que leurs harmoniques, et ont été utilisées en télécommunications sous-marines. Deux émetteurs de communications stratégiques existaient dans cette bande : « Sanguine » aux États-Unis à 76 hertz « ZEVS » en CEI Russie à 82 hertz.
