Publication

On the Use of UV Femtosecond Pulses to Write Waveguides in Fused Silica

Yves Bellouard, Lisa Jutta Ackermann
2025

Résumé

Ultraviolet (UV) pulses at 450 fs are a powerful tool for femtosecond laser waveguide writing in fused silica. Whereas typically sub-200 fs pulses at a high exposure dose were required, UV light efficiently creates waveguides with propagation losses below 0.1 dB/cm at high writing speed. The experimental setup is shown in Fig. 1(a). Linearly polarized light at a wavelength of 343 nm is focused into the bulk with an NA of 0.38 and the sample is mounted on mechanical x-y- stages. The high intensity within the focal volume locally increases the refractive index through laser-induced densification.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/352fa360-6ace-4776-9ebb-ea5ef720a496

À propos de ce résultat

Cette page est générée automatiquement et peut contenir des informations qui ne sont pas correctes, complètes, à jour ou pertinentes par rapport à votre recherche. Il en va de même pour toutes les autres pages de ce site. Veillez à vérifier les informations auprès des sources officielles de l'EPFL.

Graph Chat

Chattez avec Graph Search

Posez n’importe quelle question sur les cours, conférences, exercices, recherches, actualités, etc. de l’EPFL ou essayez les exemples de questions ci-dessous.

AVERTISSEMENT : Le chatbot Graph n'est pas programmé pour fournir des réponses explicites ou catégoriques à vos questions. Il transforme plutôt vos questions en demandes API qui sont distribuées aux différents services informatiques officiellement administrés par l'EPFL. Son but est uniquement de collecter et de recommander des références pertinentes à des contenus que vous pouvez explorer pour vous aider à répondre à vos questions.

On the Use of UV Femtosecond Pulses to Write Waveguides in Fused Silica

Chattez avec Graph Search

Low-noise, frequency-agile photonic integrated lasers

A fully hybrid integrated erbium-based laser

Ultraviolet to mid-infrared optical properties of sputtered Al(Sc)N-on-SiO2 thin films and experimental demonstration of AlN integrated photonic devices in the telecom C-band