Publication

A Model for the Zn Diffusion in Gaas by a Photoluminescence Study

Jean-Daniel Ganière
1991
Journal Articles

Résumé

To study the mechanism of zinc diffusion in GaAs, we diffused zinc from a ZnAs2 source into Si-doped GaAs samples (n almost-equal-to 1.3 X 10(18) cm-3) at different temperatures (from 575-degrees-C up to 700-degrees-C) in sealed evacuated quartz tubes. The samples are characterized by the depth profile of the photoluminescence at different temperatures. The photoluminescence spectra show characteristic emission associated to deep levels of gallium and arsenic vacancies. A detailed analysis of the spectra demonstrates the role played by vacancies in the Zn diffusion process. The spatial correlation between the luminescence spectra and the Zn concentration obtained from secondary ion mass spectroscopy measurements has been demonstrated.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/234df66a-3370-41f4-83ce-0f5b9ff62398

À propos de ce résultat

Cette page est générée automatiquement et peut contenir des informations qui ne sont pas correctes, complètes, à jour ou pertinentes par rapport à votre recherche. Il en va de même pour toutes les autres pages de ce site. Veillez à vérifier les informations auprès des sources officielles de l'EPFL.

Graph Chat

Chattez avec Graph Search

Posez n’importe quelle question sur les cours, conférences, exercices, recherches, actualités, etc. de l’EPFL ou essayez les exemples de questions ci-dessous.

AVERTISSEMENT : Le chatbot Graph n'est pas programmé pour fournir des réponses explicites ou catégoriques à vos questions. Il transforme plutôt vos questions en demandes API qui sont distribuées aux différents services informatiques officiellement administrés par l'EPFL. Son but est uniquement de collecter et de recommander des références pertinentes à des contenus que vous pouvez explorer pour vous aider à répondre à vos questions.

Jean-Daniel Ganière
1991
Journal Articles

Résumé

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/234df66a-3370-41f4-83ce-0f5b9ff62398

À propos de ce résultat

Concepts associés (32)

Photoluminescence

La photoluminescence (PL) est un processus par lequel une substance absorbe des photons puis ré-émet des photons. Dans le cas d'un semi-conducteur, le principe est d'exciter des électrons de la bande de valence avec un photon d'une énergie supérieure à l'énergie de gap du composé, de telle sorte qu'ils se retrouvent dans la bande de conduction. L'excitation fait donc passer les électrons vers un état d'énergie supérieure avant qu'ils ne reviennent vers un niveau énergétique plus bas avec émission d'un photon.

Oxyde de zinc

L’oxyde de zinc est un composé chimique d'oxygène et de zinc, corps ionique de formule chimique . Cet oxyde quasiment insoluble dans l'eau se présente généralement sous la forme d'une poudre blanche infusible communément appelée « zinc blanc », « blanc de zinc » ou « fleur de zinc ». Ce corps blanc pulvérulent se nommait autrefois pour ses aspects floconneux et légers en latin pompholix, nihil album (blanc de rien des alchimistes), lana philosophica (laine philosophique). Il était alors considéré comme un corps "infusible et fixe".

Diffusion gazeuse

vignette|droite|Usine d'enrichissement d'uranium par diffusion gazeuse à Portsmouth dans l'Ohio. La diffusion gazeuse est un processus utilisé pour la production d'uranium enrichi. Il consiste à contraindre de l'hexafluorure d'uranium sous forme gazeuse, UF6, à traverser des membranes hémiperméables. Ce qui permet la séparation des molécules contenant de l'uranium-235 et de l'uranium-238. En utilisant une cascade de plusieurs de ces dispositifs, on obtient une bonne séparation des isotopes.

Afficher plus

Publications associées (3)

A Model for the Zn Diffusion in Gaas by a Photoluminescence Study

Chattez avec Graph Search

Effects of background n- and p-type doping on Zn diffusion in GaAs AlGaAs multiple-quantum-well structures

Effects of Post-Diffusion Annealing on Zn-Diffused Gaas-Si

Self-Interstitial Mechanism for Zn Diffusion-Induced Disordering of Gaas/Alxga1-Xas (X=0.1-1) Multiple-Quantum-Well Structures