Diélectrique high-kUn diélectrique high-κ (high-κ dielectric) est un matériau avec une constante diélectrique κ élevée (comparée à celle du dioxyde de silicium) utilisé dans la fabrication de composants semi-conducteur en remplacement de la grille habituellement en dioxyde de silicium. L'utilisation de ce type de matériau constitue l'une des stratégies de développement permettant la miniaturisation des composés en microélectronique, afin de permettre de continuer à suivre la Loi de Moore.
Contrôleur mémoireThe memory controller is a digital circuit that manages the flow of data going to and from the computer's main memory. A memory controller can be a separate chip or integrated into another chip, such as being placed on the same die or as an integral part of a microprocessor; in the latter case, it is usually called an integrated memory controller (IMC). A memory controller is sometimes also called a memory chip controller (MCC) or a memory controller unit (MCU).
Metal gateA metal gate, in the context of a lateral metal–oxide–semiconductor (MOS) stack, is the gate electrode separated by an oxide from the transistor's channel – the gate material is made from a metal. In most MOS transistors since about the mid 1970s, the "M" for metal has been replaced by a non-metal gate material. The first MOSFET (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor) was made by Mohamed Atalla and Dawon Kahng at Bell Labs in 1959, and demonstrated in 1960. They used silicon as channel material and a non-self-aligned aluminum gate.
PiézoélectricitéLa piézoélectricité (du grec πιέζειν, piézein, presser, appuyer) est la propriété que possèdent certains matériaux de se polariser électriquement sous l’action d’une contrainte mécanique et réciproquement de se déformer lorsqu’on leur applique un champ électrique. Les deux effets sont indissociables. Le premier est appelé effet piézoélectrique direct ; le second effet piézoélectrique inverse. Cette propriété trouve un très grand nombre d’applications dans l’industrie et la vie quotidienne.
Pérovskite (structure)La pérovskite, du nom du minéralogiste russe L. A. Perovski, est une structure cristalline commune à de nombreux oxydes. Ce nom a d'abord désigné le titanate de calcium de formule CaTiO, avant d'être étendu à l'ensemble des oxydes de formule générale ABO présentant la même structure. Les pérovskites présentent un grand intérêt en raison de la très grande variété de propriétés que présentent ces matériaux selon le choix des éléments A et B : ferroélasticité (par exemple ), ferroélectricité (par exemple ), antiferroélectricité (par exemple PbZrO), ferromagnétisme (par exemple YTiO), antiferromagnétisme (LaTiO) La structure pérovskite de plus haute symétrie est une structure de symétrie cubique.
Courant de fuiteEn électronique, le courant de fuite est un courant qui s'écoule à travers un chemin non prévu, sauf un court-circuit. Les courants de fuite causent une perte progressive de la charge électrique d'un condensateur ou d'une pile électrique. Des dispositifs électroniques fixés à des condensateurs, tels que des transistors ou des diodes laissent passer une petite quantité de courant électrique, même quand ils sont en position fermée.
Power semiconductor deviceA power semiconductor device is a semiconductor device used as a switch or rectifier in power electronics (for example in a switch-mode power supply). Such a device is also called a power device or, when used in an integrated circuit, a power IC. A power semiconductor device is usually used in "commutation mode" (i.e., it is either on or off), and therefore has a design optimized for such usage; it should usually not be used in linear operation. Linear power circuits are widespread as voltage regulators, audio amplifiers, and radio frequency amplifiers.
Dispositif intelligentUn appareil intelligent (aussi appelé dispositif intelligent ; en anglais, smart device) est un appareil électronique, généralement connecté à d'autres appareils ou réseaux via différents protocoles de communication sans fil tels que Bluetooth, Zigbee, NFC, Wi-Fi, LiFi, 5G, etc., qui peut fonctionner dans une certaine mesure de manière interactive et autonome.
Appareil électronique de faible puissanceUn appareil électronique de faible puissance est un appareil électronique qui a été conçu pour utiliser peu de puissance électrique, par exemple un ultraportable. Montre Les premières tentatives de réduction de la quantité d'énergie requise par un dispositif électronique ont été liées au développement de la montre-bracelet. Les montres électroniques ont besoin d'électricité comme source d'énergie, et certains mouvements mécaniques et mouvements électromécaniques hybrides ont également besoin d'électricité.
Gestion de la mémoireLa gestion de la mémoire est une forme de gestion des ressources appliquée à la mémoire de l'ordinateur. L'exigence essentielle de la gestion de la mémoire est de fournir des moyens d'allouer dynamiquement des portions de mémoire aux programmes à leur demande, et de les libérer pour réutilisation lorsqu'elles ne sont plus nécessaires. Ceci est essentiel pour tout système informatique avancé où plus d'un processus peuvent être en cours à tout moment. Catégorie:Architecture informatique Catégorie:Pages avec
Page (computer memory)A page, memory page, or virtual page is a fixed-length contiguous block of virtual memory, described by a single entry in the page table. It is the smallest unit of data for memory management in a virtual memory operating system. Similarly, a page frame is the smallest fixed-length contiguous block of physical memory into which memory pages are mapped by the operating system. A transfer of pages between main memory and an auxiliary store, such as a hard disk drive, is referred to as paging or swapping.
Caractéristique (électricité)La caractéristique (abréviation de « courbe caractéristique ») d'un dipôle électrique est la relation existant entre l'intensité i du courant traversant le dipôle et la tension u aux bornes de celui-ci. Il est indispensable de connaître la caractéristique pour concevoir un circuit intégrant le dipôle. La caractéristique associe très généralement deux variables d'état du dipôle : une grandeur extensive (le courant électrique) à une grandeur intensive (la tension).
