Publication

Structurally relaxed models of the Si(001)-SiO2 interface

Alfredo Pasquarello
1996
Journal Articles

Résumé

We present a first-principles investigation of the structural properties of two models for the Si(001)-SiO2 interface. The models derive from attaching tridymite, a crystalline form of SiO2, to Si(001), and then allowing for full relaxation. These models do not show electronic states in the silicon gap, as required by electrical experiments. They contain the three intermediate oxidation states of silicon, consistent with photoemission experiments. We study bond length and bond angle distributions and measures of local strain. The strain is localized to a transition region at the interface. Strain does not persist in the full oxide. (C) 1996 American Institute of Physics.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/0227b3a8-523c-4081-82c2-a737385f6e19

À propos de ce résultat

Cette page est générée automatiquement et peut contenir des informations qui ne sont pas correctes, complètes, à jour ou pertinentes par rapport à votre recherche. Il en va de même pour toutes les autres pages de ce site. Veillez à vérifier les informations auprès des sources officielles de l'EPFL.

Graph Chat

Chattez avec Graph Search

Posez n’importe quelle question sur les cours, conférences, exercices, recherches, actualités, etc. de l’EPFL ou essayez les exemples de questions ci-dessous.

AVERTISSEMENT : Le chatbot Graph n'est pas programmé pour fournir des réponses explicites ou catégoriques à vos questions. Il transforme plutôt vos questions en demandes API qui sont distribuées aux différents services informatiques officiellement administrés par l'EPFL. Son but est uniquement de collecter et de recommander des références pertinentes à des contenus que vous pouvez explorer pour vous aider à répondre à vos questions.

Alfredo Pasquarello
1996
Journal Articles

Résumé

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/0227b3a8-523c-4081-82c2-a737385f6e19

À propos de ce résultat

Concepts associés (32)

Crystalline silicon

Crystalline silicon or (c-Si) Is the crystalline forms of silicon, either polycrystalline silicon (poly-Si, consisting of small crystals), or monocrystalline silicon (mono-Si, a continuous crystal). Crystalline silicon is the dominant semiconducting material used in photovoltaic technology for the production of solar cells. These cells are assembled into solar panels as part of a photovoltaic system to generate solar power from sunlight. In electronics, crystalline silicon is typically the monocrystalline form of silicon, and is used for producing microchips.

Silicium

Le silicium est l'élément chimique de numéro atomique 14, de symbole Si. Ce métalloïde tétravalent appartient au groupe 14 du tableau périodique. C'est l'élément le plus abondant dans la croûte terrestre après l'oxygène, soit 25,7 % de sa masse, mais il n'est comparativement présent qu'en relativement faible quantité dans la matière constituant le vivant.

Dioxyde de silicium

Le dioxyde de silicium, ou silice, est un composé chimique de formule . Il s'agit d'un solide incolore présent en abondance dans le milieu naturel et chez divers êtres vivants. Il existe à l'état libre sous différentes formes cristallines ou amorphes, et combiné chimiquement avec d'autres oxydes dans les silicates, qui sont les principaux constituants de l'écorce terrestre et du manteau terrestre. Libre ou combiné, il représente 60,6 % de la masse de la croûte continentale.

Afficher plus

Publications associées (32)

Afficher plus

Structurally relaxed models of the Si(001)-SiO2 interface

Chattez avec Graph Search

From Brittle to Flexible: Influence of Glucose‐Based Additives on Cellulose Nanocrystal Self‐Assembly in Suspension and Dried Photonic Films

Nanoelectronic devices comprising patterned thin films and method for producing the same

Nanoelectronic devices comprising patterned thin films and method for producing the same