Publication

Investigation and characterization of thin MOCVD copper films from pyrazolylboratocopper(I) complexes

Hubert van den Bergh
1994
Journal Articles

Résumé

Thin Cu layers were prepd. via MOCVD from volatile pyrazolylboratoCu(I) complexes. Expts. involved CVD in a low pressure reactor between 150-350 Deg in H2/N2/He mixts. were carried out. Substrate temp., source temp. and gas compn. were varied to obtain the optimum growth rate. The Cu layers were characterized by optical microscopy and SEM, XRD, and WDX. The metallic nature of the deposited films was proved by a four-point-probe measurement of the elec. resistivity. A selective deposition on metal seeded surface sites was obsd. on Au, Al, Pt and W vs. SiO2. Antiselective deposition was achieved on Pd seeded samples.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/012ee798-004c-4ff2-a1e7-8610c2cd8754

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Concepts associés (32)

Dépôt chimique en phase vapeur

vignette|Schéma d'un CVD Le dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD pour l'anglais chemical vapor deposition) est une méthode de dépôt sous vide de films minces, à partir de précurseurs gazeux. La CVD est un procédé utilisé pour produire des matériaux solides de haute performance, et de grande pureté. Ce procédé est souvent utilisé dans l'industrie du semi-conducteur pour produire des couches minces. Dans un procédé CVD typique, le substrat est exposé à un ou plusieurs précurseurs en phase gazeuse, qui réagissent et/ou se décomposent à la surface du substrat pour générer le dépôt désiré.

Couche mince

Une couche mince () est un revêtement dont l’épaisseur peut varier de quelques couches atomiques à une dizaine de micromètres. Ces revêtements modifient les propriétés du substrat sur lesquels ils sont déposés. Ils sont principalement utilisés : dans la fabrication de composants électroniques telles des cellules photovoltaïques en raison de leurs propriétés isolantes ou conductrices ; pour la protection d'objets afin d'améliorer les propriétés mécaniques, de résistance à l’usure, à la corrosion ou en servant de barrière thermique.

Atomic layer deposition

L’atomic layer deposition (ALD) est un procédé de dépôt de couches minces atomiques. Le principe consiste à exposer une surface successivement à différents précurseurs chimiques afin d'obtenir des couches ultra-minces. Il est utilisé dans l'industrie des semi-conducteurs. L'énorme avantage de l'ALD est de pouvoir faire une monocouche sur une surface présentant un très fort rapport d'aspect (des creux et des bosses). Notamment car la réaction de CVD se déroule directement à la surface, sur une monocouche de gaz précurseurs adsorbés.

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