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Maxime Victor Thammasack

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Low Temperature Wet Conformal Nickel Silicide Deposition for Transistor Technology through an Organometallic Approach

Giovanni De Micheli, Pierre-Emmanuel Julien Marc Gaillardon, Michele De Marchi, Maxime Victor Thammasack

The race for performance of integrated circuits is nowadays facing a downscale limitation. To overpass this nanoscale limit, modern transistors with complex geometries have flourished, allowing higher performance and energy efficiency. Accompanying this br ...

Amer Chemical Soc2017

Co-design of ReRAM Passive Crossbar Arrays Integrated in 180nm CMOS Technology

Giovanni De Micheli, Yusuf Leblebici, Pierre-Emmanuel Julien Marc Gaillardon, Davide Sacchetto, Michele De Marchi, Jury Sandrini, Tugba Demirci, Maxime Victor Thammasack

This work presents the co-integration of resistive random access memory crossbars within a 180nm Read-Write CMOS chip. TaOx-based ReRAMs have been fabricated and characterized with materials and process steps compatible with the CMOS Back-End-of ...

Institute of Electrical and Electronics Engineers2016

Heterogeneous Integration of ReRAM Crossbars in 180nm CMOS BEoL Process

Giovanni De Micheli, Yusuf Leblebici, Davide Sacchetto, Pierre-Emmanuel Julien Marc Gaillardon, Jury Sandrini, Tugba Demirci, Maxime Victor Thammasack

This work reports on a heterogeneous integration of resistive memories into the Back-End-of-the-Line of 180nm standard CMOS foundry chips. A TaOx-based ReRAM technology with materials and processes fully CMOS compatible has been developed and characterized ...

Elsevier2015