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José Luis Padilla de la Torre

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Gate Leakage Tunneling Impact on the InAs/GaSb Heterojunction Electron-Hole Bilayer Tunneling Field-Effect Transistor

Mihai Adrian Ionescu, José Luis Padilla de la Torre

Among the different types of bilayer tunneling field-effect transistors exploiting interband tunneling phenomena with tunneling directions aligned with gate-induced electric fields, the utilization of InAs/GaSb channels proves to be an appealing means to e ...

IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC2018

Band-to-band tunneling distance analysis in the heterogate electron-hole bilayer tunnel field-effect transistor

Mihai Adrian Ionescu, Cem Alper, José Luis Padilla de la Torre

In this work, we analyze the behavior of the band-to-band tunneling distance between electron and hole subbands resulting from field-induced quantum confinement in the heterogate electron-hole bilayer tunnel field-effect transistor. We show that, analogous ...

Amer Inst Physics2016

Impact of Asymmetric Configurations on the Heterogate Germanium Electron-Hole Bilayer Tunnel Field-Effect Transistor Including Quantum Confinement

Mihai Adrian Ionescu, Cem Alper, José Luis Padilla de la Torre

We investigate the effect of asymmetric configurations on the heterogate germanium electron-hole bilayer tunnel field-effect transistor (HG-EHBTFET) and assess the improvement that they provide in terms of boosting the typically very low ON current levels ...

Institute of Electrical and Electronics Engineers2015