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Andrea Bonetti

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GC-eDRAM With Body-Bias Compensated Readout and Error Detection in 28-nm FD-SOI

Andreas Peter Burg, Adam Shmuel Teman, Robert Giterman, Andrea Bonetti

Gain-cell embedded DRAM (GC-eDRAM) is an attractive alternative to conventional SRAM due to its high-density, low-leakage, and inherent two-ported functionality. However, its dynamic storage mechanism requires power-hungry refresh cycles to maintain data. ...

IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC2019

Gain-Cell Embedded DRAMs: Modeling and Design Space

Andreas Peter Burg, Robert Giterman, Andrea Bonetti, Adam Shmuel Teman

Among the different types of dynamic random-access memories (DRAMs), gain-cell embedded DRAM (GC-eDRAM) is a compact, low-power, and CMOS-compatible alternative to conventional static random-access memory (SRAM). GC-eDRAM achieves high memory density, as i ...

IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC2020

Low-Power Design of Digital VLSI Circuits around the Point of First Failure

Andrea Bonetti

As an increase of intelligent and self-powered devices is forecasted for our future everyday life, the implementation of energy-autonomous devices that can wirelessly communicate data from sensors is crucial. Even though techniques such as voltage scaling ...

EPFL2019