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Publications associées (7)

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Properties of interfaces in amorphous/crystalline silicon heterojunctions

Christophe Ballif, Aïcha Hessler-Wyser, Stefaan De Wolf, Christian Monachon, Luc Fesquet

To study recombination at the amorphous/crystalline Si (a- Si:H/c-Si) heterointerface, the amphoteric nature of silicon (Si) dangling bonds is taken into account. Modeling interface recombination measured on various test structures provides insight into th ...

Wiley2010

Modification of textured silicon wafer surface morphology for fabrication of heterojunction solar cell with open circuit voltage over 700mV

Christophe Ballif, Aïcha Hessler-Wyser, Stefaan De Wolf, Luc Fesquet

Crystalline silicon wafer (c-Si) can be extremely well passivated by plasma enhanced chemical vapor deposited (PECVD) amorphous silicon (a-Si:H) films. As a result, on flat substrates, solar cells with very high open circuit voltage are readily obtained. O ...

2010

Ultra-high quality surface passivation of crystalline silicon wafers in large area parallel plate reactor at 40 MHz

Christophe Ballif, Luc Fesquet

We use a new in-house, large area and automated deposition system: the usable deposition area is 410 × 520 mm with RF-frequency of 40 MHz. We deposit intrinsic a-Si:H layer on flat p-type or n-type c-Si wafers after performing an HF dip. The overall recomb ...

2009