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The top-down fabrication of a 3D-integrated, fully CMOS-compatible FET biosensor based on vertically stacked SiNWs and FinFETs

Mihai Adrian Ionescu, Montserrat Fernandez-Bolanos Badia, Elizabeth Buitrago Godinez, Sara Rigante

A 3D vertically stacked silicon nanowire (SiNW) and Fin field effect transistor (FET) featuring a high density array (7 or 8 x 20 SiNWs, > 4 Fins vertically stacked) of fully depleted, ultra-thin (SiNWs diameters similar to 15-30 nm, Fin width/height fw si ...

Elsevier2014

Sensing with Advanced Computing Technology: Fin Field-Effect Transistors with High-k Gate Stack on Bulk Silicon

Mihai Adrian Ionescu, Didier Bouvet, Antonios Bazigos, Elizabeth Buitrago Godinez, Sara Rigante

Field-effect transistors (FETs) form an established technology for sensing applications. However, recent advancements and use of high-performance multigate metal-oxide semiconductor FETs (double-gate, FinFET, trigate, gate-all-around) in computing technolo ...

Amer Chemical Soc2015

FinFET for high sensitivity ion and biological sensing applications

Mihai Adrian Ionescu, Livio Lattanzio, Sara Rigante

A double-gate (DG) fin field effect transistor (FinFET) is discussed as new label-free ion and biological sensor. Simulations as function of channel doping, geometrical dimensions, operation point and materials investigated the device response to an extern ...

2011