Couvre la formation de bandes dans les semi-conducteurs, en se concentrant sur le silicium et l'arséniure de gallium, ainsi que leurs propriétés électroniques et leurs structures cristallines.
Explore la déformation relative en 3D à travers la matrice de contrainte et le gradient de déplacement, en mettant l'accent sur les contraintes, les relations contrainte-déformation et les équations d'équilibre.