Explore le processus de fabrication d'un onduleur CMOS, couvrant l'oxydation thermique, les processus de dopage, la diffusion, l'implantation d'ions et le transfert de motifs.
Fournit une vue d'ensemble du fonctionnement de MOSFET, en se concentrant sur les caractéristiques NMOS et PMOS, y compris les équations actuelles et les effets de modulation de canal.
Couvre les bases de la conception VLSI, y compris la mise à l'échelle, la technologie, le fonctionnement MOSFET et la mise en œuvre du circuit logique.
Revisite la modélisation du transistor MOS pour la conception de circuits analogiques basse tension et basse puissance, en se concentrant sur le modèle à base de charge EKV.
Couvre l'utilisation de nanocristaux de silicium dans les dispositifs de mémoire non volatile et leur rôle dans le stockage durable de l'information sans alimentation continue.
