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Séance de cours

Bases de la conception physique

Dans cours

EE-330: Digital IC design

Digital IC Design presents the fundamentals of digital integrated circuit design. The methods and techniques aiming at the fabrication and development of digital integrated circuits are reviewed, the major design style pertaining to digital logic and memor ...

Description

Cette séance de cours couvre les bases de la conception physique dans la conception des puces VLSI, en se concentrant sur les caractéristiques de mise en page, les concepts de cellules, le câblage d'alimentation, les effets d'orientation des transistors MOS, le placement des ports et les canaux de routage. Il explique l'importance d'obéir aux règles de conception de la mise en page, de dimensionner les fils d'alimentation et d'utiliser l'approche du chemin d'Euler pour l'optimisation de la mise en page de la porte.

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Enseignant·e

Alexandre Schmid

Alexandre Schmid received the M.Sc. degree in microengineering and the Ph.D. degree in electrical engineering from the Swiss Federal Institute of Technology (EPFL), Lausanne, Switzerland, in 1994 and 2000, respectively. Since 1994, he has been with the EPFL, working with the Integrated Systems Laboratory as a Research and Teaching Assistant, and with the Electronics Laboratories as a Postdoctoral Fellow. In 2002, he was a Senior Research Associate with the Microelectronic Systems Laboratory, where he has been conducting research in the fields of bioelectronic interfaces and implantable biomedical electronics, nonconventional signal processing and neuromorphic hardware, and reliability of nanoelectronic devices, and also teaches with the Microengineering and Electrical Engineering Departments of EPFL. Since 2011, he is a Maître d'Enseignement et de Recherche (MER) Faculty Member with EPFL. He is a coauthor of two books, Reliability of Nanoscale Circuits and Systems, Methodologies and Circuit Architectures, Springer, 2011, and Wireless Cortical Implantable Systems, Springer, 2013, and a coeditor of one book, as well as over 100 articles published in journals and conferences. Dr. Schmid has served as the General Chair of the Fourth International Conference on Nano-Networks in 2009 and has been serving as an Associate Editor of the Institute of Electrical, Information, and Communication Engineers Electronics Express since 2009.

Source officielle

Concepts associés (32)

Transistor à effet de champ à grille métal-oxyde

thumb|right|235px|Photographie représentant deux MOSFET et une allumette Un transistor à effet de champ à grille isolée plus couramment nommé MOSFET (acronyme anglais de metal-oxide-semiconductor field-effect transistor — qui se traduit par transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semiconducteur), est un type de transistor à effet de champ. Comme tous les transistors, le MOSFET module le courant qui le traverse à l'aide d'un signal appliqué sur son électrode nommée grille.

Physical design (electronics)

In integrated circuit design, physical design is a step in the standard design cycle which follows after the circuit design. At this step, circuit representations of the components (devices and interconnects) of the design are converted into geometric representations of shapes which, when manufactured in the corresponding layers of materials, will ensure the required functioning of the components. This geometric representation is called integrated circuit layout.

Conception de circuits intégrés

La conception (ou le design) de circuits intégrés (ou puces électroniques) consiste à réaliser les nombreuses étapes de développement (flot de conception ou design flow) nécessaires pour concevoir correctement et sans erreurs une puce électronique. Le point d'entrée est une spécification fonctionnelle qui décrit le fonctionnement voulu de la puce, ainsi que des contraintes non fonctionnelles (surface, coût, consommation...).

Transistor à effet de champ

Un transistor à effet de champ (en anglais, Field-effect transistor ou FET) est un dispositif semi-conducteur de la famille des transistors. Sa particularité est d'utiliser un champ électrique pour contrôler la forme et donc la conductivité d'un « canal » dans un matériau semiconducteur. Il concurrence le transistor bipolaire dans de nombreux domaines d'applications, tels que l'électronique numérique. Le premier brevet sur le transistor à effet de champ a été déposé en 1925 par Julius E. Lilienfeld.

Standard cell

In semiconductor design, standard-cell methodology is a method of designing application-specific integrated circuits (ASICs) with mostly digital-logic features. Standard-cell methodology is an example of design abstraction, whereby a low-level very-large-scale integration (VLSI) layout is encapsulated into an abstract logic representation (such as a NAND gate). Cell-based methodology – the general class to which standard cells belong – makes it possible for one designer to focus on the high-level (logical function) aspect of digital design, while another designer focuses on the implementation (physical) aspect.

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Circuits intégrés analogiques CMOS: Fondements

Couvre les fondamentaux des circuits intégrés CMOS analogiques, en mettant l'accent sur les principes de conception au niveau des transistors et l'impact historique de la technologie CMOS.

Circuits intégrés: Evolution et fabrication

Explore l'évolution des circuits intégrés, des transistors à la technologie CMOS, en mettant en évidence les jalons historiques clés.

Introduction à la conception d'IC

Introduit la conception de circuits intégrés CMOS analogiques et souligne l'importance de bonnes compétences en conception analogique.

CG: Conception IC I

Couvre les transistors BJT et MOS, les amplificateurs, les paires différentielles, les exercices pratiques et les étapes en cascade dans la conception IC.

Opération de transistor MOS: Triode vs Saturation

Explique le fonctionnement du transistor MOS dans les régions de triode et de saturation, en mettant l'accent sur la transconductivité et la disposition.

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