Caractéristique (électricité)La caractéristique (abréviation de « courbe caractéristique ») d'un dipôle électrique est la relation existant entre l'intensité i du courant traversant le dipôle et la tension u aux bornes de celui-ci. Il est indispensable de connaître la caractéristique pour concevoir un circuit intégrant le dipôle. La caractéristique associe très généralement deux variables d'état du dipôle : une grandeur extensive (le courant électrique) à une grandeur intensive (la tension).
Tension de polarisationIn electronics, biasing is the setting of DC (direct current) operating conditions (current and voltage) of an active device in an amplifier. Many electronic devices, such as diodes, transistors and vacuum tubes, whose function is processing time-varying (AC) signals, also require a steady (DC) current or voltage at their terminals to operate correctly. This current or voltage is called bias. The AC signal applied to them is superposed on this DC bias current or voltage.
Flyback diodeA flyback diode is any diode connected across an inductor used to eliminate flyback, which is the sudden voltage spike seen across an inductive load when its supply current is suddenly reduced or interrupted. It is used in circuits in which inductive loads are controlled by switches, and in switching power supplies and inverters. Flyback circuits have been used since 1930 and were refined starting in 1950 for use in television receivers.
Subthreshold conductionSubthreshold conduction or subthreshold leakage or subthreshold drain current is the current between the source and drain of a MOSFET when the transistor is in subthreshold region, or weak-inversion region, that is, for gate-to-source voltages below the threshold voltage. The amount of subthreshold conduction in a transistor is set by its threshold voltage, which is the minimum gate voltage required to switch the device between on and off states.
Trou d'électronEn physique du solide, un trou d'électron (habituellement appelé tout simplement trou) est l'absence d'un électron dans la bande de valence, qui serait normalement remplie sans le trou. Une bande de valence remplie (ou presque remplie) est une caractéristique des isolants et des semi-conducteurs. Le concept de trou est essentiellement une façon simple d'analyser le mouvement d'un grand nombre d'électrons en traitant cette absence d'électron comme une quasi-particule. Les trous sont dus à l'interaction des électrons avec le réseau cristallin.
Circuit intégréLe circuit intégré (CI), aussi appelé puce électronique, est un composant électronique, basé sur un semi-conducteur, reproduisant une ou plusieurs fonctions électroniques plus ou moins complexes, intégrant souvent plusieurs types de composants électroniques de base dans un volume réduit (sur une petite plaque), rendant le circuit facile à mettre en œuvre. Il existe une très grande variété de ces composants divisés en deux grandes catégories : analogique et numérique.
Niveau d'énergieUn niveau d'énergie est une quantité utilisée pour décrire les systèmes en mécanique quantique et par extension dans la physique en général, sachant que, s'il y a bien quantification de l'énergie, à un niveau d'énergie donné correspond un « état du système » donné ; à moins que le niveau d'énergie soit dit « dégénéré ». La notion de niveau d'énergie a été proposée en 1913 par le physicien danois Niels Bohr.
Magnetic semiconductorMagnetic semiconductors are semiconductor materials that exhibit both ferromagnetism (or a similar response) and useful semiconductor properties. If implemented in devices, these materials could provide a new type of control of conduction. Whereas traditional electronics are based on control of charge carriers (n- or p-type), practical magnetic semiconductors would also allow control of quantum spin state (up or down).
Saturation velocitySaturation velocity is the maximum velocity a charge carrier in a semiconductor, generally an electron, attains in the presence of very high electric fields. When this happens, the semiconductor is said to be in a state of velocity saturation. Charge carriers normally move at an average drift speed proportional to the electric field strength they experience temporally. The proportionality constant is known as mobility of the carrier, which is a material property.
Diode Zenervignette|Symbole de la diode Zener vignette|Diode Zener de puissance Une diode Zener est un assemblage de deux semi-conducteurs dont les propriétés électriques ont été découvertes par le physicien américain Clarence Zener. Contrairement à une diode conventionnelle qui ne laisse passer le courant électrique que dans un seul sens, le sens direct, les diodes Zener sont conçues de façon à laisser également passer le courant inverse, mais ceci uniquement si la tension à ses bornes est plus élevée que le seuil de l'effet d'avalanche.
Transistor radioA transistor radio is a small portable radio receiver that uses transistor-based circuitry. Following the invention of the transistor in 1947—which revolutionized the field of consumer electronics by introducing small but powerful, convenient hand-held devices—the Regency TR-1 was released in 1954 becoming the first commercial transistor radio. The mass-market success of the smaller and cheaper Sony TR-63, released in 1957, led to the transistor radio becoming the most popular electronic communication device of the 1960s and 1970s.
Metal–semiconductor junctionIn solid-state physics, a metal–semiconductor (M–S) junction is a type of electrical junction in which a metal comes in close contact with a semiconductor material. It is the oldest practical semiconductor device. M–S junctions can either be rectifying or non-rectifying. The rectifying metal–semiconductor junction forms a Schottky barrier, making a device known as a Schottky diode, while the non-rectifying junction is called an ohmic contact.
