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Cette séance de cours traite de la tension intégrée dans les jonctions semi-conductrices, en particulier en se concentrant sur les jonctions P-N. L'instructeur commence par corriger un problème lié à un condensateur formé de plaques de silicium P et de silicium N. La séance de cours couvre l'état d'équilibre des bandes d'énergie lorsque les plaques se touchent et les implications de l'introduction d'un espace entre elles. L'instructeur explique comment la tension intégrée est affectée par la distance entre les plaques et comment les variations de cette distance peuvent générer un courant. Le concept de la sonde Kelvin est introduit, détaillant son contexte historique et son application à la mesure du potentiel de surface. La séance de cours décrit également la configuration de la microscopie à force de sonde Kelvin, en soulignant comment elle peut être utilisée pour mesurer la tension intégrée en observant les vibrations d'un porte-à-faux en réponse aux variations de charge. Les applications pratiques de cette technique dans la mesure des cellules solaires et des structures semi-conductrices sont également mises en évidence, fournissant une compréhension globale du sujet.
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