Fournit une vue d'ensemble du fonctionnement de MOSFET, en se concentrant sur les caractéristiques NMOS et PMOS, y compris les équations actuelles et les effets de modulation de canal.
Couvre la tension de claquage dans les transistors NPN, en se concentrant sur l'effet d'avalanche dans les configurations de base commune et d'émetteur commun.