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Cette séance de cours couvre le fonctionnement des photodiodes p-i-n, discutant de l'insertion d'une couche semi-conductrice non dopée pour créer une région à haute résistance pour l'absorption, les composantes de temps de réponse y compris la dérive et la diffusion, et le temps de réponse RC limité. Il explore également les caractéristiques des photodiodes commerciales p-i-n et les avantages des photodétecteurs à gain interne. Le processus d'ionisation d'impact dans les photodétecteurs d'avalanche est expliqué, ainsi que les facteurs influençant la vitesse de génération. La séance de cours se termine par la structure des photodétecteurs d'avalanche, mettant en évidence les mécanismes d'absorption et de gain dans la structure p-i-n.
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