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Revisite la modélisation du transistor MOS pour la conception de circuits analogiques basse tension et basse puissance, en se concentrant sur le modèle à base de charge EKV.
Explore le blocage de Coulomb et le fonctionnement du transistor à un seul électron, les critères, la théorie, les expériences et les phénomènes magnétiques à l'échelle nanométrique.