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Couvre les masses efficaces dans les semi-conducteurs, en se concentrant sur les bandes d'énergie et leurs implications pour les matériaux comme le silicium et l'arséniure de gallium.
Explore la physique des semi-conducteurs sous des champs électriques élevés, en discutant du transport des porteurs, des processus de recombinaison et de l'impact de l'injection.
Explore la structure de bande de semi-conducteurs, y compris la transformée de Fourier, les structures cristallines et la systématique de bande interdite.
Explore le transport, la génération et la recombinaison dans les semi-conducteurs, couvrant les conductivités de dérive et de diffusion, les mécanismes de piégeage, divers canaux de recombinaison, et le rôle des pièges et des centres de recombinaison.
Explore la structure de l'examen oral et les sujets clés de la photochimie II, y compris les processus de transfert d'électrons et la photo-électrochimie des semi-conducteurs.
Couvre les réponses photoélectrochimiques dynamiques pour les pertes de stabilité et de recombinaison dans les absorbeurs solaires et les jonctions électrolytiques semi-conducteurs.
Examine la dynamique de transmission et de spin ultrarapide dans les semi-conducteurs 2D et leurs hétérostructures, explorant des réponses optiques uniques et des applications nouvelles.
Explore la bande interdite dans les semi-conducteurs, en se concentrant sur l'interaction entre les atomes dans un cristal et la dérivation de l'équation séculaire.
Explore la résistance au contact dans les dispositifs semi-conducteurs, y compris la loi de Moore, les caractéristiques FET, les limites quantiques et les techniques de mesure.
Explore le cadre théorique derrière l'absorption optique interbande dans les semi-conducteurs à bande interdite directe, y compris la dérivation des taux de transition et des coefficients d'absorption.
